FREMGANGSMAATE FOR NOEYAKTIG OPPRETTHOLDELSE AV ET LAVT ALUMINIUMOKSYDINNHOLD I EN ELEKTROLYTISK CELLE.,申请号NO19860001806-传众专利搜索

首页产品黄页商标征信

会员服务注册登录

法人/股东/高管

发明名称	FREMGANGSMAATE FOR NOEYAKTIG OPPRETTHOLDELSE AV ET LAVT ALUMINIUMOKSYDINNHOLD I EN ELEKTROLYTISK CELLE.
摘要
申请公布号	NO861806(A)	申请公布日期	1986.11.10
申请号	NO19860001806	申请日期	1986.05.06
申请人	ALUMINIUM PECHINEY	发明人	LEROY, MICHEL
分类号	C25C3/20;(IPC1-7):C25C3/20	主分类号	C25C3/20
代理机构		代理人
主权项
地址

您可能感兴趣的专利

冲泡机之冲泡筒卡固构造

多埠式音频插座改良结构

垂直轴型风力发电机之叶片结构

清扫构件,附有握持具之清扫构件,及清扫构件之制造方法

具有高表面精细度的钻石薄膜三维结构表面制造方法

一种制造羟胺之方法

产生二氧化氯之组成物

吊钩之可遥控防滑舌片装置

昇降机之自动检查装置,及昇降机之自动检查方法

用于在一建筑物区域内轮送升降机使用者之升降机设备

多晶片散热装置

电源供应器的组合装置

平板式扬声器构造

根据行动通讯终端能力提供多媒体回铃音替代服务之方法、系统及装置

含有几丁聚醣之饮用水及其制造方法

母基板单元之有机发光显示器及其制造方法

有机电激发光显示元件及其制造方法

有机半导体,彼等之制造及含彼等之半导体装置

形成场效电晶体之方法,形成场效电晶体闸极之方法,形成具有电晶体闸极阵列及在该闸极阵列周边之电路的积体电路之方法,以及形成包含具有第一闸极METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTOR GATES, METHODS OF FORMING INTEGRATED CIRCUITRY COMPRISING A TRANSISTOR GATE ARRAY AND CIRCUITRY PERIPHERAL TO THE GATE ARRAY, AND METHODS OF FORMING INTEGRATED CIRCUITRY COMPRISING A TRANSISTOR GATE ARRAY INCLUDING FIRST GATES AND SECOND GROUNDED ISOLATION GATES METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTOR GATES, METHODS OF FORMING INTEGRATED CIRCUITRY COMPRISING A TRANSISTOR GATE ARRAY AND CIRCUITRY PERIPHERAL TO THE GATE ARRAY, AND METHODS OF FORMING INTEGRATED CIRCUITRY COMPRISING A TRANSISTOR GATE ARRAY INCLUDING FIRST GATES AND SECOND GROUNDED ISOLATION GATES