| 发明名称 |
PROCESS FOR MAKING SEMICONDUCTOR DEVICES WHICH INVOLVE GASEOUS ETCHING |
| 摘要 |
Procédé de préparation de dispositifs à semi-conducteurs à base du composé III-V (par exemple des dispositifs à base d'arsénure de gallium) dans lequel on utilise du brome ou du chlore à l'état gazeux en tant que mordant. Ce procédé permet d'obtenir une morsure très uniforme. Il est possible d'obtenir une sélectivité élevée lors de la morsure à l'arsénure de gallium en présence d'arsénure d'aluminium gallium par l'addition d'un gaz oxydant tel que de la vapeur d'eau. |
| 申请公布号 |
WO8606546(A1) |
申请公布日期 |
1986.11.06 |
| 申请号 |
WO1986US00642 |
申请日期 |
1986.03.27 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY |
发明人 |
IBBOTSON, DALE, EDWARD;TU, CHARLES, WUCHING |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/338;H01L27/06;H01L27/092;H01L27/095;H01L29/778;H01L29/80;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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