PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET TRANSISTORS BIPOLAIRES LATERAUX SUR UN MEME SUBSTRAT

摘要

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES.

POUR REALISER A FAIBLE PRIX DE REVIENT DES CIRCUITS DE TECHNOLOGIE CMOS INCORPORANT DES TRANSISTORS BIPOLAIRES, ON REALISE UNE SUCCESSION D'ETAPES AVEC SEULEMENT NEUF MASQUES SUCCESSIFS ABOUTISSANT NOTAMMENT A UN TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN LATERAL DANS UN CAISSON P SUR SUBSTRAT N. LES CONTACTS DE SOURCE ET DRAIN 68 SONT EN SILICIURE METALLIQUE, DE MEME QUE LE CONTACT DE BASE 72. LES CONTACTS D'EMETTEUR ET COLLECTEUR 34, 36 SONT EN SILICIUM POLYCRISTALLIN RECOUVERT DE SILICIURE. LE TRANSISTOR N EST AUTO-ALIGNEAVEC UNE FAIBLE RESISTANCE D'ACCES ET UNE FAIBLE PROFONDEUR DE JONCTION. L'IMPLANTATION IONIQUE SOURCE ET DRAIN DU TMOSP D'UNE PART ET DE BASE DE BIPOLAIRE D'AUTRE PART EST COMMUNE. DE PLUS LA RESISTANCE D'ACCES AU TRANSISTOR DE TYPE P ET LE RECOUVREMENT DE GRILLE SUR SOURCES ET DRAINS DE CE TRANSISTOR SONT MINIMISES TOUT EN LAISSANT UNE GRANDE LATITUDE DE CHOIX SUR LE DOPAGE DE LA BASE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE.