Electrically erasable programmable redundant semiconductor memory.

摘要

Das System enthält einen Mikrocomputer (µC), der in bestimmten Abständen unter Verwendung einer in einem EEPROM integrierten Klassifizierungsschaltung die Speicherzellen des EEPROMs auf Änderungen der Schwellwerte durchmißt und im Falle des Feststellens eines Fehlers in einer somit als fehlerhaft erkannten Zeile oder Spalte diese fehlerhafte Zeile bzw. Spalte, deren Adresse dann in einem Bereich (B2) gespeichert wird, durch eine redundante Zeil bzw. Spalte in einem anderen Bereich (B1) unter Verwendung eines Korrekturregisters (K) ersetzt.