Method of producing conductive electrodes on a circuit element, and semiconductor device so obtained.

摘要

Dans le procédé selon l'invention on dépose des électrodes conductrices à travers les ouvertures (31, 32) d'un masque (30) alignées par rapport à au moins deux fenêtres de contact (11) et (12) ménagées dans une couche isolante (4). Préalablement, des couches de métal combiné (21) et (22) (par exemple siliciure de Pt) ont été déposées dans les fenêtres (11) et (12). La région étroite (25) de la couche isolante (4) peut avoir une dimension réduite du fait que dans les positions relatives extrêmes les électrodes conductrices (26) et (27) ne recouvrent que partiellement les fenêtres (11) et (12). L'invention concerne également des transistors logiques (ou faible bruit) ou pour très hautes fréquences dont la structure est améliorée soit au niveau dimensionnel, soit au niveau des valeurs des résistances série soit des gains.