抗辐射半导体器件

摘要

本发明涉及抗辐射半导体器件，该器件的电特性不会由于辐射而衰变。本发明提出用以构成某种电导类型而掺入半导体内的杂质应选用相应元素的一种同位素，其热中子吸收截面较小的一种，例如，用原子质量数为11的硼原子作为受主杂质，用原子质量数为123的锑Sb作为施主杂质。当用射线辐照时，该杂质所经受的原子核反应大大小于其它同位素，因而，其杂质浓度变化甚小，所以电特性不会发生变化。

主权项

1、抗辐射半导体器件包括：a)一半导体基片，它至少包括一种电导型的掺杂区和一种相反电导型掺杂区。b)电极能相应与上述电导型区以及和反型电导区保持欧姆接触；c)上述两个电导区域中至少有一个是掺杂了决定其电导类型的杂质，该杂质是指相同元素中热中子吸收截面较小的那种同位素，并经富集化了的。