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发明名称 PROCEDIMENTO PER PRODURRE SU UN SUBSTRATO UNO STRATO DOTATO DI STRUTTURA NELLA TECNOLOGIA DEI SEMICONDUTTORI
摘要
申请公布号 IT1143690(B) 申请公布日期 1986.10.22
申请号 IT19770027768 申请日期 1977.09.21
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 C30B23/04;C30B23/08;H01L21/203;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 C30B23/04
代理机构 代理人
主权项
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