发明名称 SPUTTER DEPOSITION.
摘要 Un film est déposé sur un substrat (25) à partir d'une pluralité de sources de pulvérisation (21 à 23) disposées de telle manière que leurs axes d'émission principaux se coupent en un point commun (26). Le substrat (25) peut être déplacé à travers les faisceaux d'intersection des sources, si bien qu'est formé un film plus grand que la surface des faisceaux d'intersection; les sources (21 à 23) peuvent être contrôlées individuellement, si bien qu'un film de différentes couches peut être formé lorsque le substrat (25) est stationnaire alors que le film est formé de régions de compositions différentes lorsque le substrat est déplacé. Des particules énergétiques neutres peuvent également être dirigées sur le substrat.
申请公布号 EP0197936(A1) 申请公布日期 1986.10.22
申请号 EP19850900490 申请日期 1984.12.27
申请人 ION TECH LIMITED 发明人 EVANS, DAVID, ROGER
分类号 C23C14/34;H01J37/34;(IPC1-7):C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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