NONVOLATILE MEMORY CELL.

摘要

Une cellule de mémoire rémanente programmable électriquement (30) comprend un substrat semi-conducteur (31) pourvu d'une région à fort dopage formant une électrode de commande (35), sur laquelle sont disposées une première électrode d'écriture composée d'une première couche de polysilicium et formant un condensateur C1, et une partie d'une porte flottante (33) composée d'une deuxième couche de polysilicium et formant un condensateur C2. Une deuxième électrode d'écriture (32) est formée à partir de la première couche de polysilicium. Des couches diélectriques (38, 39) composées de nitrure de silicium ou d'oxynitrure de silicium sont formées sur les électrodes d'écriture (34, 32) et sont en contact avec des parties de la porte flottante (33) pour former les condensateurs C3, C4. La cellule est programmée pour présenter un état "haut" ou "bas" en commandant les tensions appliquées aux électrodes (35, 34, 32) de sorte que la charge est transférée sélectivement entre la porte flottante (33) et une électrode d'écriture sélectionnée (34, 33). On obtient ainsi une structure simple à deux niveaux en polysilicium. Dans une variante, la porte flottante est formée à partir d'une première couche de polysilicium, et les électrodes d'écriture à partir d'une deuxième couche de polysilicium. La deuxième électrode d'écriture peut être formée par une région de substrat (42).