| 发明名称 | 单晶连续生长装置 | ||
| 摘要 | 单晶连续生长装置是单晶连续生长的设备，其特征为拉晶、退火连续进行。本实用新型是把拉晶炉和退火炉合为一体，由温度控制装置控制，实现热连续。拉晶头可以是一个，也可以是多个。本实用新型可以有效地节约投资，节约能耗，提高劳动生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN86200234U | 申请公布日期 | 1986.10.22 |
| 申请号 | CN86200234 | 申请日期 | 1986.01.31 |
| 申请人 | 中国科学院声学研究所 | 发明人 | 施仲坚;李惠章;刘金龙 |
| 分类号 | C30B15/00 | 主分类号 | C30B15/00 |
| 代理机构 | 中国科学院声学研究所专利办公室 | 代理人 | 崔茹华;夏秀英 |
| 主权项 | 1、一种采用白金质坩埚提拉单晶的装置，其特征在于它由拉晶炉(7)，退火炉(8)，降温区(9)，(10)，晶体运输机械系统(15)，(16)，(17)，(18)，隔热堵头11-1，11-2，11-3，11-4，温度控制装置所构成。 | ||
| 地址 | 北京市中关村路5号 | ||