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发明名称 PROCESS FOR SELECTIVELY FORMING REFRACTORY METAL SILICIDE LAYERS ON SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要
申请公布号 EP0043451(B1) 申请公布日期 1986.10.22
申请号 EP19810104336 申请日期 1981.06.05
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 FATULA, JOSEPH JOHN, JR.;ROBERTS, STANLEY
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/321;H01L23/52;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/90;H01L21/285;H01L21/31 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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