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发明名称 POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
摘要
申请公布号 EP0071916(B1) 申请公布日期 1986.10.15
申请号 EP19820106923 申请日期 1982.07.30
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 SCHUH, GOTTFRIED;TIHANYI, JENO, DR.-ING.
分类号 H01L21/336;H01L29/167;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/167;H01L29/08 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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