Semiconductor device made of compound semiconductor material.

摘要

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung aus Verbindungshalbleitermaterial und besteht darin, daß der Halbleiterkörper in Teilbereichen bzw. bei Phosphid-Verbindungen in seiner Gesamtheit oder in Teilbereichen isoelektronische Störstellen aus einem Element enthält, dessen kovalenter Atomradius größer ist als der des Elements des Verbindungshalbleiters, zu dem das Störstellenmaterial isoelektronisch ist.