发明名称 PROCEDE DE REALISATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A METALLISATION DE GRILLE AUTOALIGNEE
摘要 <P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE D'AUTOALIGNEMENT DE GRILLE DANS UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP.</P><P>DANS LES TRANSISTORS CONNUS A GRILLE AUTOALIGNEE, LA METALLISATION SCHOTTKY DE GRILLE DONNE LIEU A UNE DIFFUSION D'ATOMES DE METAUX DANS LA COUCHE ACTIVE. POUR EVITER CETTE POLLUTION, L'INVENTION PREVOIT DE RECOUVRIR LA PASTILLE SEMICONDUCTRICE 10, 11 PAR UNE COUCHE DE PROTECTION 18 DANS LAQUELLE EST PRATIQUEE UNE OUVERTURE 23. A TRAVERS CETTE OUVERTURE 23 EST IMPLANTE UN CAISSON 12 QUI FORME UNE JONCTION PN AVEC LA COUCHE ACTIVE 11. L'ELECTRODE DE GRILLE 13 EST DEPOSEE SUR CE CAISSON 12, ET LES BORDS DE CETTE ELECTRODE PERMETTENT D'AUTOALIGNER LES REGIONS DE SOURCE ET DRAIN 16, 17. LA JONCTION PN MASQUE LES EFFETS DE LA DIFFUSION DE METAUX PROVENANT DE LA GRILLE13.</P><P>APPLICATION A LA REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES, NOTAMMENT SUR GAAS, POUR MATERIELS HYPERFREQUENCES.</P>
申请公布号 FR2579827(A1) 申请公布日期 1986.10.03
申请号 FR19850004491 申请日期 1985.04.01
申请人 THOMSON CSF 发明人 ERHARD KOHN
分类号 H01L21/027;H01L21/285;H01L21/337;(IPC1-7):H01L21/314;H01L29/80 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利