| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI MOSFET DI ELEVATA POTENZA,CON ELEVATA DINSITA' |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
IT1139374(B) |
申请公布日期 |
1986.09.24 |
| 申请号 |
IT19810023533 |
申请日期 |
1981.08.14 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP |
发明人 |
LIDOW ALEXANDER;HERMAN THOMAS |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
