发明名称 高能级磁控溅射离子镀技术
摘要 高能级磁控溅射离子镀技术是在具有一个工件负高压电源的磁控溅射离子镀装置中实现的。该离子镀工艺使镀膜有一个靶材(膜材)元素和基材元素共存的过渡层;镀膜中能出现靶材元素和基材元素组成的化合物相和固溶体相;多辉光高能级磁控溅射离子镀技术,进一步扩展了镀膜过渡层,并能沉积多层次镀膜、多元素镀膜以及反应镀膜。上述技术可以满足对表面的不同性能的要求。该项技术还具有节约能源,无公害等优点。
申请公布号 CN85102600A 申请公布日期 1986.09.17
申请号 CN85102600 申请日期 1985.04.01
申请人 大连工学院 发明人 陈宝清;朱英臣;王玉魁;王斐杰
分类号 C23C14/22 主分类号 C23C14/22
代理机构 大连工学院专利代理事务所 代理人 修德金
主权项 1、物理气相沉积,一种高能级磁控溅射离子镀技术装置:它包括真空容器[1],永久磁铁[2],磁控阳极[3],磁控靶[4],磁控电源[5],真空抽气系统[6],氩气充气系统[7]和基板(工件)[8]等八个主要部分,本发明的特征在于以工件负高压电源作为高能级磁控溅射离子镀供电装置[9],该供电装置的直流电源电压为0~10000伏特,电流为5安培。镀膜时,工件[8]上要加负高压,在低压气体辉光放电条件下,工件[8]周围形成了独立的辉光放电等离子场。当磁控靶[4]工作时,被气体正离子溅射出来的磁控靶原子被电离成金属正离子,在高压电场作用下,这些金属正离子飞向阴极工件表面沉积成具有几个μm到几十个μm过渡层的镀膜。
地址 辽宁省大连市凌水河