PROCEDE DE FORMATION SUR UN SUBSTRAT D'UNE COUCHE DE SILICIURE DE TUNGSTENE, UTILISABLE NOTAMMENT POUR LA REALISATION DE COUCHES D'INTERCONNEXION DES CIRCUITS INTEGRES.

摘要

L'INVENTION A POUR OBJET UN PROCEDE DE FORMATION SUR UN SUBSTRAT D'UNE COUCHE DE SILICIURE DE TUNGSTENE, UTILISABLE NOTAMMENT POUR LA REALISATION DE COUCHES D'INTERCONNEXION DES CIRCUITS INTEGRES.CE PROCEDE CONSISTE A DEPOSER SUCCESSIVEMENT SUR LE SUBSTRAT UNE PREMIERE COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, UNE DEUXIEME COUCHE DE TUNGSTENE AMORPHE HYDROGENE ET UNE TROISIEME COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ET A SOUMETTRE LE SUBSTRAT AINSI REVETU A UN TRAITEMENT DE RECUIT EFFECTUE A UNE TEMPERATURE SUPERIEURE OU EGALE A 550C EN ATMOSPHERE D'HYDROGENE.DE PREFERENCE, APRES DEPOT DES TROIS COUCHES, ON SOUMET LE SUBSTRAT REVETU A UNE IMPLANTATION IONIQUE EN UTILISANT PAR EXEMPLE DES IONS TUNGSTENE POUR CREER DES DEFAUTS DANS LES COUCHES, CE QUI PERMET D'ACCELERER ENSUITE LA FORMATION DE LA COUCHE DE SILICIURE DE TUNGSTENE LORS DE L'ETAPE DE RECUIT.