| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE AVEC CONNEXIONS DE SILICIURE DE TANTALE ET CIRCUIT INTEGRE REALISE SELON CE PROCEDE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2555365(B1) |
申请公布日期 |
1986.08.29 |
| 申请号 |
FR19830018565 |
申请日期 |
1983.11.22 |
| 申请人 |
EFCIS |
发明人 |
ANNIE BAUDRANT ET MICHEL MARTY;MARTY MICHEL |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/3205;H01L21/336;H01L23/52;H01L29/45;(IPC1-7):H01L29/54;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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