发明名称 晶体管-晶体管逻辑型门高到低跃变加速电路
摘要 一种TTL型门高到低跃变加速电路,其中输入晶体管〔14〕随着在端点〔10〕的输入电压的跃变可在高及低阻抗状态变化。输出晶体管〔16〕耦合到输入晶体管〔14〕并随着在端点〔10〕处的输入跃变而改变阻抗状态。包括加速晶体管〔44〕的电路耦合在输入晶体管〔14〕及输出晶体管〔16〕之间,以便将附加电流加到输出晶体管〔16〕以加速阻抗状态的变化。该电路将附加电流加给输出晶体管〔16〕直到在端点〔18〕处的输出电压下降到低于输出晶体管〔16〕的基极一发射极电压的两倍时为止。
申请公布号 CN85109172A 申请公布日期 1986.08.27
申请号 CN85109172 申请日期 1985.12.11
申请人 得克萨斯仪器公司 发明人 博比·D·斯特朗;罗伯特·C·马丁;凯维恩·M·欧文斯;詹姆士·F·萨尔茨曼
分类号 H03K19/01 主分类号 H03K19/01
代理机构 上海市专利事务所 代理人 颜承根
主权项 1、一种改进的跃变加速电路包括:一接收输入电压跃变的输入晶体管:一与上述输入晶体管相耦合并随着在上述输入晶体管处的电压跃变而改变状态的输出晶体管;在上述输入及输出晶体管之间耦合的装置,用以将附加电流加到上述输出晶体管以加速上述状态变化。上述装置施加附加电流直到上述输出晶体管两端的输出电压下降到低于上述输出晶体管的基极-发射极电压的两倍时为止。
地址 美国得克萨斯州75265达拉斯市北中埃克斯普勒斯韦路13500号