| 摘要 |
Une structure MOSFET dans un corps de silicium (10), comme le siliciure de platine, qui remplit une cavité sous une couche d'oxyde située sur une paroi latérale (14) de l'électrode de porte. La cavité est obtenue par la gravure isotropique d'une région exposée de la surface du corps de silicium aux régions de source et de drainage à former, pour effectuer l'érosion de la couche d'oxyde sur la paroi latérale. Un rebord de l'électrode à source Schottky formée ultérieurement dans la cavité est essentiellement aligné avec un rebord surjacent de l'électrode de porte. |
