| 摘要 |
<P>LA PRESENTE INVENTION CONSISTE A DEPOSER UNE COUCHE 1 DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEE SUR UN DIELECTRIQUE EN SILICE QUI L'ISOLE DU SUBSTRAT. UNE PHOTOLITHOGRAVURE PERMET DE DEFINIR LES ZONES DESTINEES A SUBIR UNE IMPLANTATION IONIQUE POUR LE CANAL ENTERRE 11, LES ZONES A PROTEGER ETANT MASQUEES PAR LE SILICIUM RESTANT.</P><P>UNE DOUBLE COUCHE SILICE-NITRURE 12, 13 EST FORMEE APRES LA MISE A NU DU SUBSTRAT DANS LES REGIONS IMPLANTEES.</P><P>UNE PHOTOLITHOGRAVURE DE LA DOUBLE COUCHE SILICE-NITRURE PERMET L'ACCES AU PREMIER NIVEAU DE SILICIUM D'UNE DEUXIEME COUCHE DE SILICIUM DOPEE 9.</P><P>LA PHOTOLITHOGRAVURE DE L'ENSEMBLE DES DEUX SILICIUMS PERMET DE REALISER DIVERSES STRUCTURES DANS LESQUELLES PAR EXEMPLE LA ZONE DE TRANSITION DES DEUX DIELECTRIQUES EST SITUEE SOUS LA MEME GRILLE OU ENCORE DANS LESQUELLES PAR EXEMPLE LA ZONE DE TRANSITION EST AUTO-ALIGNEE A UNE GRILLE.</P><P>MATRICES A TRANSFERT DE TRAME.</P>
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