| 发明名称 |
MEJORAS EN METODO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON UNA REGION DE BASE QUE TIENE UNA PORCION PROFUNDA |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
MX153211(A) |
申请公布日期 |
1986.08.22 |
| 申请号 |
MX19830197821 |
申请日期 |
1983.06.27 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC COMPANY |
发明人 |
BANTVAL JAYANT BALIGA;MICHAEL STUART ADLER |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/033;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/94 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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