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发明名称 Method for producing a highly doped zone in semiconductor bodies
摘要
申请公布号 US3137597(A) 申请公布日期 1964.06.16
申请号 US19590819828 申请日期 1959.06.12
申请人 SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 PATALONG HUBERT;SCHINK NORBERT;HOFFENREICH FRIEDRICH
分类号 C22C5/02;H01L21/00 主分类号 C22C5/02
代理机构 代理人
主权项
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