DEVICE FABRICATION METHOD USING SPIN-ON GLASS RESINS AND DEVICES FORMED THEREBY

摘要

Un nouveau procédé de fabrication d'un dispositif tel qu'un dispositif semiconducteur est décrit. Le procédé comprend l'étape du dessin sur un substrat (10) à l'aide d'une matière de protection à trois niveaux (30) contenant une région de substitution déposée par filage (50) pour la région centrale conventionnelle de dioxyde de silicium. Ce substitut comprend une résine de verre d'organosilicium en combinaison avec le matériau contenant du métal et de l'oxygène. Le procédé de l'invention empêche les pertes de commande de largeur de ligne et évite la dégradation du dessin dues aux nombreuses piqûres indésirables qui sont fréquentes avec les procédés utilisés antérieurement.