SEMICONDUCTOR MEMORY WITH BOOSTED WORD LINE

摘要

Une mémoire à accès sélectif possède un conducteur de rangée survolté au-delà du niveau de la tension d'alimentation pendant une partie initiale (30) d'un cycle de mémoire. La tension est ensuite verrouillée au niveau de l'alimentation pendant la partie centrale (31) du cycle, et éventuellement survoltée de nouveau pendant la partie de régénération (32). Cet agencement permet d'améliorer les performances et la fiabilité, notamment dans des mémoires utilisant des lignes de bits préchargées à un potentiel égal à la moitié du niveau de la tension d'alimentation.