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发明名称 METHOD OF MAKING A MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT WITH AT LEAST ONE ISOLATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ONE BIPOLAR TRANSISTOR
摘要
申请公布号 EP0093786(B1) 申请公布日期 1986.08.06
申请号 EP19820103910 申请日期 1982.05.06
申请人 DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES INC. 发明人 BLOSSFELD, LOTHAR, DIPL.-PHYS.
分类号 H01L21/027;H01L29/78;H01L21/8249;H01L27/06;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
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