| 发明名称 | 双极异质结晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 按照本发明研制的双极异质结晶体管其发射极形成层基本上由掺杂的和氢化的半导体材料组成，并且至少局部形成非晶的结构。由于发射极材料的能带较宽，可获得大的电流增益β。发射极形成层最好由掺杂的和氢化的微晶硅组成，能提供小的基极电阻适宜在高频下使用。用CVD技术、用等离子体或者用光分解法可以形成非晶双极异质结晶体管。用上述任一方法或用加热非晶发射极层的方法，可制作具有微晶发射极层的晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN85108634A | 申请公布日期 | 1986.07.30 |
| 申请号 | CN85108634 | 申请日期 | 1985.09.29 |
| 申请人 | 英特大学微电子中心 | 发明人 | 格翰纳姆·莫斯塔法·耶黑亚;默坦斯·罗伯特;尼斯·约翰 |
| 分类号 | H01L29/70;H01L29/02;H01L21/205 | 主分类号 | H01L29/70 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 刘晖 |
| 主权项 | 1、一种双极异质结晶体管(1)包括：发射极形成层(2)，基极形成层(3)和收集极形成层(4)，其特征在于：发射极形成层(2)基本上由掺杂的和氢化的半导材料组成，并且至少局部形成非晶结构。 | ||
| 地址 | 比利时勒芬-黑沃利3030 | ||