INTEGRATED CIRCUIT HAVING BURIED OXIDE ISOLATION AND LOW RESISTIVITY SUBSTRATE FOR POWER SUPPLY INTERCONNECTION.

摘要

Technique d'interconnexion d'une alimentation de courant à un circuit intégré possédant un substrat hautement dopé de faible résistivité (17) pour la distribution de la tension d'alimentation la plus positive du circuit intégré. Le substrat fonctionne en tant que point de tension la plus positive et comprend des dispositifs qui sont normalement reliés directement à la tension d'alimentation la plus positive. Une couche diélectrique noyée (21) est disposée sur une partie du substrat (17) et isole la tension d'alimentation du substrat des dispositifs qui ne sont pas reliés directement à la tension d'alimentation la plus positive.