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发明名称 MOS FLOATING GATE MEMORY CELL AND PROCESS FOR FABRICATING SAME.
摘要
申请公布号 EP0160003(A4) 申请公布日期 1986.07.23
申请号 EP19840903331 申请日期 1984.08.29
申请人 SEEQ TECHNOLOGY, INCORPORATED 发明人 PERLEGOS, GUST;WU, TSUNG-CHING
分类号 G11C17/00;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C11/40;H01L27/04;H01L21/265 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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