发明名称 MEMOIRE EN CIRCUIT INTEGRE A HAUTE FIABILITE
摘要 L'INVENTION CONCERNE DES MEMOIRES EN CIRCUIT INTEGRE MUNIES DE CIRCUIT 36 DE REPARATION. CES CIRCUITS DE REPARATION PERMETTENT LA SUBSTITUTION 40, II, III DE LIGNES DE CELLULES MEMOIRE REDONDANTES 29 A DES LIGNES DE CELLULES DEFECTUEUSES 2. L'INVENTION MET A PROFIT L'EXISTENCE DE CES CIRCUITS DE SUBSTITUTION POUR DECOUPLER ELECTRIQUEMENT, ET NON PLUS SEULEMENT FONCTIONNELLEMENT, LES LIGNES DEFECTUEUSES. UNE CONNEXION I RELIE DES CIRCUITS 5, 6 DE POLARISATION DES LIGNES DE CELLULE AU CIRCUIT DE REPARATION DE CETTE LIGNE. QUAND LA LIGNE EST REPAREE (C'EST-A-DIRE NEUTRALISEE) ELLE EST AUTOMATIQUEMENT DEPOLARISEE.
申请公布号 FR2576133(A1) 申请公布日期 1986.07.18
申请号 FR19850000526 申请日期 1985.01.15
申请人 EUROTECHNIQUE 发明人 RICHARD FERRANT
分类号 G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C29/00;G11C11/40 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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