发明名称 |
金属层制版印刷术中作抗反射涂层用的无定形硅 |
摘要 |
本发明是对制版方法形成带图案金属层工艺的一种改进。在半导体器件上的金属层上制作抗反射涂层之前先形成一层无定形硅层。这种硅通过吸收光刻胶层的曝光用光,既可防止光从金属层上反射出来,也可防止在光刻胶层上产生凹陷。采用喷镀的无定形硅可省去抗反射层烘烤时所需的严格处理步骤及绕自身旋转抗反射层所需的喷淋显影技术。操作温度为低温,金属和喷镀硅的蚀刻同时进行。 |
申请公布号 |
CN85107650A |
申请公布日期 |
1986.07.16 |
申请号 |
CN85107650 |
申请日期 |
1985.10.17 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
汤志 |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/44;G03G5/00 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
中国专利代理有限公司 |
代理人 |
陶令霭 |
主权项 |
1、一种用制版印刷术在半导体器件上形成带图案的导电层工艺的改进方法,包括下列步骤:a、在所述的导电层上形成一层喷镀硅层;b、在所述的喷镀硅层上形成一层光刻胶层,所述的光刻胶层是在所述的喷镀硅层形成后形成的;c、在所述的导电层上,用所述的制版术形成图案;在所述的制版过程中,入射到器件上的光从所述的导电层上的反射和所述的光刻胶层上不必要部位的曝光均受抑制。 |
地址 |
美国加利福尼亚州圣克拉拉·鲍尔斯路3065号 |