| 主权项 |
1.用于一电气元件之一熔接密封式半导体外壳包含:一金属或金属合金导线框架,具有相反的第一和第二表面,可附装所述电气元件于其上,每一第一和第二表面上各有一第一耐火氧化物被覆层;一金属或金属合金基座构件,在其至少一表面上具有一第二层耐火氧化物层;一金属或金属合金之窗架形状机构,由具有第一和第二金属或金属合金部件之护套夹层组成,所述第一金属或金属合金部件具有至少一第一表面,其上有一第三耐火氧化物层被覆,以产生增进之玻璃或陶瓷黏合强度,所述第二金属或金属合金部件具有至少一第一表面,其为立即可软焊者;一金属或金属合金盖子,具有至少一第一表面,其为立即可软焊者;一玻璃或陶瓷部件,具有至少约为160xlO-7in/in℃之热膨胀系数,所述玻璃或陶瓷部件之所述热膨胀系数与所述金属或金属合金导线框架,所述金属或金属合金基座构件,和所述窗架形状机构之第一金属或金属合金部件之热膨胀系数非常接近,所述玻璃或陶瓷部件黏合所述第一和第二耐火氧化物层及所述第一和第三耐火氧化物层以实质地在所述外壳内免除热应力;和软焊之装置,可将所述窗架形状机构之第二部件之第一可立即软焊表面黏合金属或金属合金盖子之第一可立即软焊表面,而使所述半导体外壳得以实质地气密密封。2.如请求专利部份第1.项之半导体外壳,其中所述金属合金导线框架,所述金属合金基座构件和所述第一金属合金构件系由一包括多至大约百分之十二有效量之铝以形成一耐火氧化物而其余为铜所组成之铜合金所制成。3.如请求专利部份第2.项之半导体外壳,其中所述金属或金属合金盖子系由铜或铜合金所制成。4.如请求专利部份第2.项中之半导体外壳其中前述第一种铜基合金由实质上2.5至3.1%之铝,1.5至2.1%之矽,和其余在本质上为铜所组成。5.如请求专利部份第4.项之半导体外壳其中前述第一,第二和第三耐火氧化物层包含有Al2O3。6.如请求专利部份第5.项中之半导体外壳其中前述基座构件包含用于从前述外壳处提供增进之导热性之实际上高传导性合金之护面。 |
