制备单晶硅片表面完整层的新途径

摘要

本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。

主权项

1、一种表面具有完整层，体内微缺陷高度弥散的单晶硅片，其特征在于微缺陷是氢沉淀。