| 发明名称 |
Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen einer Schicht aus Halbleitermaterial |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1263714(B) |
申请公布日期 |
1968.03.21 |
| 申请号 |
DE1964A047111 |
申请日期 |
1964.09.19 |
| 申请人 |
ASSOCIATED ELECTRICAL INDUSTRIES LIMITED |
发明人 |
NEWMAN RONALD CHARLES |
| 分类号 |
C30B11/12;C30B19/04;C30B19/10 |
主分类号 |
C30B11/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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