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发明名称 METHODS OF FORMING AND MANUFACTURING INSULATION LAYER FOR SEPARATION BETWEEN ACTIVE AREAS OF CMOS CIRCUIT
摘要
申请公布号 JPS61141151(A) 申请公布日期 1986.06.28
申请号 JP19850277795 申请日期 1985.12.09
申请人 SIEMENS AG 发明人 UIRII BAINFUOOGURU
分类号 H01L27/08;H01L21/311;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
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