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Procédé de prétraitement d'une tranche semiconductrice de manière à appliquer directement un rabattement de protection positive d'une solution d'anhydride polyméthacrylique sur la surface traitée. Une tranche semiconductrice typique en silicium est d'abord prérevêtue d'une fine couche de poly(t-butyl méthacrylate) puis chauffée pour convertir le poly(t-butyl méthacrylate) en anhydride. L'épaisseur de cette couche précurseur de l'anhydride est inférieure à 1000 angstroems environ. Ensuite, on applique sur la surface de la couche précurseur une solution d'anhydride polyméthacrylique dissous dans, par exemple, le diméthylacétamide, le diméthylformamide, ou N-méthyl-pyrrolidione. De tels solvants, incapables de mouiller de manière adéquate et directement la surface de silicium, sont capables de mouiller la couche précurseur comprenant l'anhydride polyméthacrylique, assurant ainsi un dépôt uniforme d'anhydride polyméthacrylique sur la surface traitée de la tranche. Après application de la solution sur la tranche traitée, le solvant est enlevé par évaporation pour former une couche uniforme d'anhydride polyméthacrylique déposé de la solution et ayant une épaisseur de l'ordre de 2.000 angstroems à 20.000 angstroems environ. |
