NITRIDED SILICON DIOXIDE LAYERS FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

摘要

Un circuit intégré à semiconducteurs comprend une couche de bioxyde de silicium nitruré (32) d'une épaisseur généralement comprise entre 50 et 400 Angstroms, disposée sur un support semiconducteur. La couche nitrurée est une couche originale de bioxyde de silicium (22) dont la surface a été nitrurée, par une chauffe rapide (instantanée) dans de l'ammoniac à environ 1250o C, de sorte que la couche résultante de bioxyde de silicium nitruré est essentiellement une couche composite de nitroxyde de silicium sur du bioxyde de silicium, dans laquelle la fraction de concentration atomique de l'azote tombe d'une valeur supérieure à 0,13 au niveau de la région superficielle de la couche composite à une valeur égale à environ 0,13 à une distance égale ou inférieure à 30 Angstroms au-dessous de la région superficielle, et avantageusement à des valeurs inférieures à environ 0,05 partout à des distances supérieures à environ 60 Angstroms au-dessous de la région superficielle, à l'exception de la fraction d'azote dont la concentration peut atteindre 0,10 environ dans la couche à des distances ne dépassant pas environ 20 Angstroms à partir de l'interface de la couche nitrurée et du support semiconducteur sous-jacent.