NON-VOLATILE, PROGRAMMABLE INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY CELL,申请号DE19813174621-传众专利搜索

发明名称	NON-VOLATILE, PROGRAMMABLE INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY CELL
摘要
申请公布号	DE3174621(D1)	申请公布日期	1986.06.19
申请号	DE19813174621	申请日期	1981.07.28
申请人	DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES INC.	发明人	ADAM, FRITZ GUNTER, DR. RER.NAT DIPL.-PHYS.
分类号	G11C17/00;(IPC1-7):G11C17/00;H01L29/60	主分类号	G11C17/00
代理机构		代理人
主权项
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