| 发明名称 |
Verfahren zur Oxydation eines Silizium-Halbleiterkoerpers |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE1289382(B) |
申请公布日期 |
1969.02.13 |
| 申请号 |
DE196300L5616 |
申请日期 |
1963.08.16 |
| 申请人 |
LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH |
发明人 |
LERTES;KURT DR. |
| 分类号 |
C23C8/36;H01L21/316;(IPC1-7):H01L7/56 |
主分类号 |
C23C8/36 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
