| 摘要 |
Système de photolithographie à rayons ultraviolets profonds comprenant une source d'éclairage à laser excimer pulsé à bande étroite (12) et un assemblage d'objectif en silice à fusion totale. Le système peut atteindre un niveau de définition de ligne de l'ordre de 0,5 micromètre. Une caractéristique significative du système est sa capacité d'exécuter un suivi de piste de focalisation sur une tranche de silicium simplement en modifiant la fréquence du laser. |
