| 发明名称 |
PROCEDE DE DIFFUSION SELECTIVE D'IMPURETES DANS UN SUPPORT SEMI-CONDUCTEUR |
| 摘要 |
<P>A.PROCEDE DE DIFFUSION SELECTIVE D'IMPURETES DANS UN SUPPORT SEMI-CONDUCTEUR.</P><P>B.CARACTERISE EN CE QU'ON APPLIQUE UN MASQUE DE DIFFUSION 3 SUR LE SUPPORT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE 1 DE FACON QUE LA COUCHE CONTENANT L'OXYGENE 2 A L'INTERFACE ENTRE LE MASQUE 3 ET LE SUPPORT 1 PRESENTE UNE EPAISSEUR INFERIEURE A 20A ET ON DIFFUSE L'IMPURETE 6 A TRAVERS LE MASQUE DANS LE SUPPORT 1.</P>
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| 申请公布号 |
FR2573918(A1) |
申请公布日期 |
1986.05.30 |
| 申请号 |
FR19850017518 |
申请日期 |
1985.11.27 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
MASARU WADA ET YOJI KATO;KATO YOJI |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/033;H01L21/223;(IPC1-7):H01L21/223;H01L21/308 |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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