Schottky contact on a semiconductor surface and method of making the same.

摘要

Mit einem Schottky-Kontakt auf einer Halbleiteroberfläche, (3) der einen dotierten, selbstjustierend angebrachten Schutzring (7) im Halbleiterrandbereich des Schottky- Kontaktes aufweist und bei dem Teile des Halbleiterrandbereiches mittels mindestens einer Schicht abgedeckt sind, und mit einem Verfahren zur Herstellung eines solchen Schottky-Kontaktes soll es möglich sein, eine Verbesserung der elektrischen Eigenschaften des Schottky- Kontaktes und eine Verbesserung der Ausbeute bei der Produktion des Schottky-Kontaktes zu erzielen. Außerdem soll eine Hochtemperaturbehandlung des Schottky-Kontaktes möglich sein. Mindestens eine Schicht, die Teile des Halbleiterrandbereiches abdeckt, ist als eine selbstjustierende Schutzschicht (5; 21, 22; 32; 33, 34) für den Schutzring (7) angebracht.