发明名称 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER ISOLIERSCHICHT ZWISCHEN METALLISIERUNGSEBENEN VON INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTUNGEN.
摘要
申请公布号 AT19712(T) 申请公布日期 1986.05.15
申请号 AT19830106743T 申请日期 1983.07.08
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 EGGERS, HARALD, DIPL.-ING.
分类号 H01L21/314;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/90 主分类号 H01L21/314
代理机构 代理人
主权项
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