MATRICE DE MEMOIRE MORTE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE A CELLULES ELEMENTAIRES METAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR SYMETRIQUES ET PROCEDE D'ECRITURE DE CETTE MATRICE

摘要

DEUX SERIES DE LIGNES DE SOURCE S1, S2 PARALLELES ALTERNENT AVEC DES LIGNES DE DRAIN D PARALLELES; DES ZONES DE GRILLE FLOTTANTE F SONT PLACEES A CHEVAL ENTRE LES LIGNES DE SOURCE ET DE DRAIN, ET DES LIGNES DE GRILLE DE COMMANDE G PARALLELES SONT DISPOSEESPERPENDICULAIREMENT AUX LIGNES DE SOURCE ET DE DRAIN ET SONT SUPERPOSEES AUX ZONES DE GRILLE FLOTTANTE ET AUTO-ALIGNEES SUR CES ZONES. EN PHASE D'ECRITURE, LA LIGNE DE GRILLE G ET LA LIGNE DE DRAIN D QUI CORRESPONDENT A UNE CELLULE SELECTIONNEE C SONT CONNECTEES A UNE TENSION POSITIVE ET LA LIGNE DE SOURCE S1, S2 QUI CORRESPOND A LA CELLULE SELECTIONNEE EST CONNECTEE A LA MASSE EN MEME TEMPS QUE TOUTES LES AUTRES LIGNES DE SOURCE DE LA MEME SERIE, TANDIS QUE TOUTES LES LIGNES DE SOURCE DE L'AUTRE SERIE SONT LAISSEES A UN POTENTIEL INTERMEDIAIRE ENTRE LA TENSION POSITIVE ET LA MASSE.