| 摘要 |
Une structure (10) de porte logique d'un transistor à effet de champ comprend deux couches semiconductrices (18, 32) séparées par un isolant (16). Un TEC commutateur (12) à enrichissement est formé sur la couche semiconductrice supérieure (18), et un élément de charge (14) est formé dans la couche semiconductrice inférieure (32). La couche isolante (16) sépare et couple capacitivement l'élément commutateur (12) et l'élément de charge (14), de sorte que l'élément commutateur (12) fonctionne comme une porte pour l'élément de charge (14) et l'élément de charge (14) fonctionne comme une deuxième porte de l'élément commutateur (12). Une entrée (44) est connectée à la porte (26) de l'élément commutateur (12). Le drain (30) de l'élément commutateur (12), la source (40) de l'élément de charge (14), et la sortie (46) de la porte logique repliée (10) sont connectés les uns aux autres. La structure (10) de porte logique présente une consommation très basse d'énergie à des états stables, une haute vitesse et de grandes oscillations de la tension de sortie. |
