| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATION OF DIELECTRICALLY ISOLATED CMOS DEVICE WITH AN ISOLATED SLOT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0078890(A3) |
申请公布日期 |
1986.05.07 |
| 申请号 |
EP19820106907 |
申请日期 |
1982.07.30 |
| 申请人 |
ROCKWELL INTERNATIONAL CORPORATION |
发明人 |
SOCLOF, SIDNEY ISAAC |
| 分类号 |
H01L27/08;H01L21/762;H01L21/8238;H01L29/04;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L27/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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