MONOLITHIC INTEGRATED PLANAR SEMI-SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION.

摘要

Dans le dispositif semiconducteur monolithique intégré, l'ajustage de la tension d'avalanche est obtenu par une électrode de couverture (7) disposée dans la région de la jonction pn. Pour cet ajustage, un potentiel déterminé est appliqué à cette électrode de couverture (7) au moyen d'un diviseur de tension (1). Afin d'obtenir une tension d'avalanche largement indépendante de la température, le diviseur de tension (1) est constitué de zones diffusées présentant un dopage différencié. En résultent des coefficients de température différents pour les résistances (R1, R2) du diviseur de tension (1), ce qui provoque une modification du potentiel de l'électrode de couverture en fonction de la température et par là une stabilisation de la température de la tension d'avalanche.