| 发明名称 |
METHOD FOR MAKING INTEGRATED MOS CIRCUITS BY THE SILICON-GATE TECHNIQUE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0014303(B1) |
申请公布日期 |
1986.04.30 |
| 申请号 |
EP19800100014 |
申请日期 |
1980.01.03 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
WIDMANN, DIETRICH, DR. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/90 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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