发明名称 SEMICONDUCTORS HAVING SHALLOW,HYPERABRUPT DOPED REGIONS,AND PROCESS FOR PREPARATION THEREOF USING ION IMPLANTED IMPURITIES
摘要
申请公布号 IL76905(D0) 申请公布日期 1986.04.29
申请号 IL19850076905 申请日期 1985.11.01
申请人 HUGHES AIRCRAFT COMPANY 发明人
分类号 H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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