| 发明名称 |
DISPOSITIF MOSFET VERTICAL AVEC UNE REGION D'ANODE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2479567(B1) |
申请公布日期 |
1986.04.18 |
| 申请号 |
FR19810005869 |
申请日期 |
1981.03.24 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
HANS WERNER BECKE ET CARL FRANKLIN WHEATLEY, JR.;WHEATLEY CARL FRANKLIN JR |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/10;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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